Study of Silicon Photomultiplier Performance in External Electric Fields

J.B. Albert G. Anton I.J. Arnquist I. Badhrees P.S. Barbeau D. Beck V. Belov T. Bhatta F. Bourque J. P. Brodsky E. Brown T. Brunner A. Burenkov L. Cao W.R. Cen C. Chambers S.A. Charlebois M. Chiu B. Cleveland M. Coon M. C\^ot\'e A. Craycraft W. Cree J. Dalmasson T. Daniels L. Darroch S.J. Daugherty J. Daughhetee S. Delaquis A. Der Mesrobian-Kabakian R. DeVoe J. Dilling Y.Y. Ding M.J. Dolinski A. Dragone J. Echevers L. Fabris D. Fairbank W. Fairbank J. Farine S. Feyzbakhsh P. Fierlinger R. Fontaine D. Fudenberg G. Gallina G. Giacomini R. Gornea G. Gratta E.V. Hansen D. Harris M. Heffner E. W. Hoppe J. H\"o{\ss}l A. House P. Hufschmidt M. Hughes Y. Ito A. Iverson A. Jamil C. Jessiman M.J. Jewell X.S. Jiang A. Karelin L.J. Kaufman D. Kodroff T. Koffas S. Kravitz R. Kr\"ucken A. Kuchenkov K.S. Kumar Y. Lan A. Larson D.S. Leonard G. Li S. Li Z. Li C. Licciardi Y.H. Lin R. MacLellan T. Michel M. Moe B. Mong D.C. Moore K. Murray R.J. Newby Z. Ning O. Njoya F. Nolet O. Nusair K. Odgers M. Oriunno J.L. Orrell G. S. Ortega I. Ostrovskiy C.T. Overman S. Parent A. Piepke A. Pocar J.-F. Pratte D. Qiu V. Radeka E. Raguzin T. Rao S. Rescia F. Reti\`ere A. Robinson T. Rossignol P.C. Rowson N. Roy R. Saldanha S. Sangiorgio S. Schmidt J. Schneider D. Sinclair K. Skarpaas VIII A.K. Soma G. St-Hilaire V. Stekhanov T. Stiegler M. Tarka J. Todd T.I. Totev R. Tsang T. Tsang B. Veenstra V. Veeraraghavan G. Visser J.-L. Vuilleumier M. Wagenpfeil Q. Wang J. Watkins M. Weber W. Wei U. Wichoski G. Wrede S.X. Wu W.H. Wu Q. Xia L. Yang Y.-R. Yen O. Zeldovich J. Zhao Y. Zhou T. Ziegler